近日，孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队在紫外光电探测器的性能研究方面取得进展，研究成果以"Improved detection performance of self-driven InZnO / p-GaN heterojunction UV photodetector by lanthanum doping"为题被《Journal of Alloys and Compounds》杂志接收发表。

ZnO的稳定性是影响ZnO基光电器件性能的关键因素，其稳定性会受到氧空位(Vo)和锌间隙等初级点缺陷的影响。为了解决这一问题，提高ZnO半导体薄膜和纳米结构的光电性能，人们对在ZnO晶体中掺杂供体元素进行了广泛的研究。

在这项研究中，我们用溶胶-凝胶法在p-GaN /蓝宝石薄膜模板上生长了不同La浓度(0 at%、2 at%、4 at%和6 at%)的La-InZnO薄膜，并制备了自驱动p-GaN / n-ZnO异质结紫外(UV)探测器。研究了La掺杂浓度对合成的La-InZnO薄膜的微观结构、光学和电学性能的影响。此外，还比较了四种p-n异质结紫外探测器的光学传感特性和光电响应性能。研究发现La掺杂可以降低氧空位的含量。它还降低了载流子浓度和薄膜的迁移率。在零偏置电压下，掺2at%的器件性能最佳，在366 nm处的峰值响应率为46 mA/W，高光谱选择性半峰全宽度(FWHM)仅为6.92 nm，快速响应，上升和衰减时间分别为1.15 ms和2.42 ms。本研究为提高自驱动异质结紫外探测器的性能提供了一种可行的方法。

 

 

论文作者：丁浩燃（硕士生），彭逸（博士生），陈梅芹（硕士生），杨宇飞（硕士生），王楠（硕士生），胡旭宏（教授），邓建宇（通信作者），孙文红（通信作者）

论文链接：https://authors.elsevier.com/c/1hWmC3IWkcAdQo